- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18398 > SI4214DDY-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SI4214DDY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19.5 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC（窄型） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI4214DDY-T1-GE3DKR |
Si4214DDY-T1-E3
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( ? )
I D (A) a
Q g (Typ.)
FEATURES
? TrenchFET ?? Power MOSFET
? 100 % R g Tested
30
0.0195 at V GS = 10 V
0.023 at V GS = 4.5 V
8.5
8.6
7.1
? 100 % UIS Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Notebook System Power
? Low Current DC/DC
SO-8
D 1
D 2
S 1
G 1
1
2
8
7
D 1
D 1
S 2
G 2
3
4
6
5
D 2
D 2
G 1
G 2
Top V ie w
Orderin g Information: Si4214DDY-T1-E3 (Lead (P b )-free)
S 1
N -Channel MOSFET
S 2
N -Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
30
± 20
8.5
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
7.5
7.5 b, c
5.9 b, c
Pulsed Drain Current
Source-Drain Current Diode Current
Pulsed Source-Drain Current
Single Pulse Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I SM
I AS
E AS
30
2.8
1.8 b, c
30
10
5
A
T C = 25 °C
3.1
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
2.0
2.0 b, c
W
T A = 70 °C
1.25 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typ.
Max.
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b, d
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ? 10 s
Steady-State
R thJA
R thJF
52
30
62.5
40
°C/W
Notes:
a. Based on T C = 25 °C.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 10 s.
d. Maximum under steady state conditions is 110 °C/W.
Document Number: 67907
S11-0653-Rev. A, 11-Apr-11
www.vishay.com
1
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32522C6683K189 | FILM CAP 0.0680UF 10% 400V |
| 6601-100 | SW TOGGLE 10A 125V SPST 6" LEADS |
| FXO-HC735-43.75 | OSC 43.75 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| 6FA54-73 | SWITCH TOGGLE SPST-NO 15A SCREW |
| 445I23J20M00000 | CRYSTAL 20.000000 MHZ 9PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Si4214DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 8.5A 3.1W 23.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4220-I1-FT | 功能描述:射频发射器 Transmitters - IA4220 RoHS:否 制造商:Micrel 类型:ASK Transmitter 封装 / 箱体:SOT-23-6 工作频率:300 MHz to 450 MHz 封装:Reel |
| SI4220-RKSA-EVB | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述: |
| SI4220-RRSA-EVB | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述: |
| SI4221-A1-FT | 功能描述:射频发射器 Transmitters - IA4221 RoHS:否 制造商:Micrel 类型:ASK Transmitter 封装 / 箱体:SOT-23-6 工作频率:300 MHz to 450 MHz 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。