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参数资料
| 型号： | SI4214DDY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19.5 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC（窄型） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI4214DDY-T1-GE3DKR |
Si4214DDY-T1-E3
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
0.10
I D = 8 A
10
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.0 8
0.06
0.04
0.02
0.00
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.5
0.2
- 0.1
- 0.4
- 0.7
- 1.0
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 5 mA
I D = 250 μA
50
40
30
20
10
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
10
1 ms
1
0.1
10 ms
100 ms
1s
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 67907
S11-0653-Rev. A, 11-Apr-11
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32522C6683K189 | FILM CAP 0.0680UF 10% 400V |
| 6601-100 | SW TOGGLE 10A 125V SPST 6" LEADS |
| FXO-HC735-43.75 | OSC 43.75 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| 6FA54-73 | SWITCH TOGGLE SPST-NO 15A SCREW |
| 445I23J20M00000 | CRYSTAL 20.000000 MHZ 9PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Si4214DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 8.5A 3.1W 23.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4220-I1-FT | 功能描述:射频发射器 Transmitters - IA4220 RoHS:否 制造商:Micrel 类型:ASK Transmitter 封装 / 箱体:SOT-23-6 工作频率:300 MHz to 450 MHz 封装:Reel |
| SI4220-RKSA-EVB | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述: |
| SI4220-RRSA-EVB | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述: |
| SI4221-A1-FT | 功能描述:射频发射器 Transmitters - IA4221 RoHS:否 制造商:Micrel 类型:ASK Transmitter 封装 / 箱体:SOT-23-6 工作频率:300 MHz to 450 MHz 封装:Reel |
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