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参数资料
| 型号： | SI4322-A0-FTR |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 5/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC RX FSK UNI 868/915MHZ 16TSSOP |
| 标准包装： | 2,000 |
| 频率： | 868MHz，915MHz |
| 灵敏度： | -104dBm |
| 数据传输率 - 最大： | 256 kbps |
| 调制或协议： | FSK |
| 应用： | 遥控，RKE，安全系统 |
| 电流 - 接收： | 14mA |
| 数据接口： | PCB，表面贴装 |
| 天线连接器： | PCB，表面贴装 |
| 特点： | 配有 RSSI |
| 电源电压： | 2.2 V ~ 3.8 V |
| 封装/外壳： | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4322
GENERAL DEVICE SPECIFICATION
All voltages are referenced to V ss , the potential on the ground reference pin VSS.
Absolute Maximum Ratings (non-operating)
C
C
Symbol
V dd
V in
I in
ESD
T st
T ld
Parameter
Positive supply voltage
Voltage on any pin
Input current into any pin except VDD and VSS
Electrostatic discharge with human body model
Storage temperature
Lead temperature (soldering, max 10 s)
Min
-0.5
-0.5
-25
-55
Max
6.0
V dd +0.5
25
1000
125
260
Units
V
V
mA
V
o
o
Recommended Operating Range
ELECTRICAL SPECIFICATION
(Min/max values are valid over the whole recommended operating range, typ conditions: T op = 27 o C; V dd = 2.7 V)
DC Characteristics
Symbol
P aramete r
Symbol
Parameter
V
Conditions/Notes
Min Typ
Positive supply voltage
Max
Units
10.5 12.5
I dd
Supply current
868 MHz band T
915 MHz band
op
Ambient operating temperature
12 14
mA
I pd
I lb
I x
Standby current
Low battery voltage detector and
wake-up timer current
Idle current
all blocks disabled
crystal oscillator is ON
1
0.5
5
μA
μA
mA
V lb
V lba
V POR
Low battery detection threshold
Low battery detection accuracy
V dd threshold required
to generate a POR
programmable in 0.1 V steps
2.0
± 0.05
1.5
3.5
V
V
V
larger glithches on the V dd
V POR,hyst
POR hysteresis
generate a POR even above
0.6
V
the threshold V POR
SR Vdd
V il
V ih
V dd slew rate
Digital input low level
Digital input high level
for proper POR generation
0.1
0.7*V dd
0.3*V dd
V/ms
V
V
I il
I ih
Digital input current
Digital input current
V il = 0 V
V ih = V dd , V dd = 3.8 V
-1
-1
1
1
μA
μA
V ol
V oh
Digital output low level
Digital output high level
I ol = 2 mA
I oh = -2 mA
V dd -0.4
0.4
V
V
5
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| SI4322DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 18A 5.4W 8.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4324DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 36A 7.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4324DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 36A 7.8W 3.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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