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参数资料
| 型号： | Si4362DY-E3 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| 中文描述： | 双N沟道30 V的（副）MOSFET的肖特基二极管 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | SI4362DY-E3 |
Si4362DY
Vishay Siliconix
Document Number: 71628
S-40762—Rev. E, 19-Apr-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
C
rss
V
DS
= 15 V
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
I
D
V
GS
= 10 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
r
D
)
I
D
Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
V
GS
= 4.5 V
1.0
1.2
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0
2
4
6
8
10
1
10
50
I
D
= 20 A
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
0
2000
4000
6000
8000
0
6
12
18
24
30
C
oss
C
iss
r
D
(
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Si4368DY-E3 | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
| Si4368DY-T1-E3 | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
| SI4368DY | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
| SI4370DY | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SI4378DY | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4362DY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
| SI4362DY-T1E3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI4362DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30 Volt 20 Amp 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4364DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI4364DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 20A 1.6W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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