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参数资料
| 型号： | SI4368DY |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
| 中文描述： | N沟道减少Qg和快速切换WFET |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | SI4368DY |
Si4368DY
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72704
S-40105—Rev. A, 02-Feb-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
10
2
30
60
10
20
P
Single Pulse Power
Time (sec)
40
50
10
3
10
2
1
10
600
10
1
10
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 67 C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
1
100
600
10
10
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
Temperature ( C)
Safe Operating Area, Junction-to-Case
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
100
1
0.01
10
1
10
100
0.01
10
1 s
0.1
T
= 25 C
Single Pulse
10 ms
100 ms
dc
0.1
Limited by r
DS(on)
10 s
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI4368DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30 Volt 25 Amp 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4368DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 25A 3.5W 3.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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