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参数资料
| 型号： | SI4403BDY-T1 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| 中文描述： | P通道的1.8 V（GS）的MOSFET的 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | SI4403BDY-T1 |
Si4403DY
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 71683
S-04393
—
Rev. A, 13-Aug-01
–
0.4
–
0.2
0.0
0.2
0.4
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
–
Temperature ( C)
0
24
40
8
16
P
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Time (sec)
32
10
–
3
10
–
2
1
10
600
10
–
1
10
–
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 71 C/W
3. T
JM
–
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
10
–
3
10
–
2
1
10
10
–
1
10
–
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1
100
10
10
–
1
10
–
2
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI4403BDY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 9.9A 2.5W 17mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| SI4403DY | 功能描述:MOSFET 20V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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