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参数资料
| 型号： | SI4416DY |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | 9 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012 |
| 封装： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件页数： | 8/13页 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | SI4416DY |
Philips Semiconductors
Si4416DY
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 05 June 2001
8 of 13
9397 750 08299
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 13. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage;
typical values.
I
D
= 9 A; V
DD
=15 V
Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03af25
0
10
20
30
40
50
I
S
(A)
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
(V)
T
j
= 25 oC
V
GS
= 0 V
150 oC
03af27
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
I
D
= 9 A
V
DD
= 15 V
T
j
= 25 oC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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