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参数资料
| 型号： | SI4420DYTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 12.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 78nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2240pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4420DY
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
30
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.028
–––
V/°C
Reference to 25°C, I D = 1mA
?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
–––
–––
0.009 V GS = 10V, I D = 12.5A
0.013 V GS = 4.5V, I D = 10.5A
?
?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
1.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
29
–––
–––
–––
–––
52
8.7
––– V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 15V, I D = 12.5A
1.0 V DS = 30V, V GS = 0V
μA
5.0 V DS = 30V, V GS = 0V, T J = 55°C
-100 V GS = -20V
nA
100 V GS = 20V
78 I D = 12.5A
––– nC V DS = 15V
––– R G = 6.0 ?
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
–––
–––
–––
–––
12
15
10
55
––– V GS = 10V, See Fig. 6
––– V DD = 15V
––– I D = 1.0A
ns
?
t f
Fall Time
–––
47
––– R D = 15 ? ,
?
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
2240
1100
150
––– V GS = 0V
––– pF V DS = 15V
––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Diode Conduction)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
–––
–––
–––
–––
2.3
50
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
–––
–––
–––
52
1.1
78
V
ns
T J = 25°C, I S = 2.3A, V GS = 0V ?
T J = 25°C, I F = 2.3A
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? When mounted on FR4 Board, t ≤ 10 sec
2
? Starting T J = 25°C, L = 13mH
R G = 25 ? , I AS = 8.9A. (See Figure 15)
www.irf.com
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