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参数资料
| 型号： | SI4435DDY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 9.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1350pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI4435DDY-T1-E3DKR |
New Product
Si4435DDY
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
V DS (V)
- 30
R DS(on) ( Ω )
0.024 at V GS = - 10 V
0.035 at V GS = - 4.5 V
I D (A) d
- 11.4
- 9.4
Q g (Typ.)
15 nC
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Load Switches
? Battery Switch
SO-8
S
S
1
8
D
S
S
G
2
3
4
7
6
5
D
D
D
G
Top View
D
Ordering Information: Si4435DDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4435DDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 30
± 20
- 11.4
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
I D
- 9.1
- 8.1 a, b
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Avalanche Current
Single-Pulse Avalanche Energy
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
- 6.5 a, b
- 50
- 4.1
- 2.0 a, b
- 20
20
A
mJ
T C = 25 °C
5.0
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
3.2
2.5 a, b
W
T A = 70 °C
1.6 a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a, c
Maximum Junction-to-Foot
t ≤ 10 s
Steady State
R thJA
R thJF
38
20
50
25
°C/W
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. t = 10 s.
c. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.
d. Based on T C = 25 °C.
Document Number: 68841
S09-0863-Rev. C, 18-May-09
www.vishay.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI4435DDY-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -30V 11.4A SOIC |
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| SI4435DY | 功能描述:MOSFET 30V SinGLE P-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4435DY | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR, MOSFET |
| SI4435DY | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
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