- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录509 > SI4435DDY-T1-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI4435DDY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 9.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1350pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI4435DDY-T1-E3DKR |
New Product
Si4435DDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
15
12
9
6
3
0
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
6.0
4. 8
3.6
2.4
1.2
0.0
2.0
1.6
1.2
0. 8
0.4
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Power, Junction-to-Foot
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
Power Derating, Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 68841
S09-0863-Rev. C, 18-May-09
www.vishay.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4435DY | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC |
| SI4435DY | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC |
| SI4448DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC |
| SI4455-B1A-FM | IC EZRADIO FM TRANSCEIVER SI4355 |
| SI4462DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4435DDY-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -30V 11.4A SOIC |
| SI4435DDY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4435DY | 功能描述:MOSFET 30V SinGLE P-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4435DY | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR, MOSFET |
| SI4435DY | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。