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参数资料
| 型号： | SI4435DDY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 9.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1350pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI4435DDY-T1-E3DKR |
New Product
Si4435DDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
40
30
20
V GS = 10 V thr u 5 V
V GS = 4 V
1.0
0. 8
0.6
0.4
T C = - 55 °C
T C = 25 °C
10
0
V GS = 3 V
0.2
0.0
T C = 125 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.05
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2400
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.04
1 8 00
0.03
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1200
C iss
0.02
600
0.01
0
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
0
6
12
1 8
24
30
10
8
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 9.1 A
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 9.1 A
V GS = 10 V
1.5
V DS = 15 V
6
V DS = 7.5 V
V DS = 22.5 V
1.2
4
0.9
2
V GS = 4.5 V
0
0.6
0
9
1 8
27
36
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68841
S09-0863-Rev. C, 18-May-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI4435DY | 功能描述:MOSFET 30V SinGLE P-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4435DY | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR, MOSFET |
| SI4435DY | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
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