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参数资料
| 型号： | SI4462DY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 480 毫欧 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4462DY
Vishay Siliconix
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
200
R DS(on) ( Ω )
0.480 at V GS = 10 V
0.510 at V GS = 6.0 V
I D (A)
1.50
1.45
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? PWM Optimized for fast Switching
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Primary Side Switch
D
SO-8
S
S
1
2
8
7
D
D
G
S
G
3
4
6
5
D
D
Top View
S
Ordering Information: Si4462DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4462DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
Steady State
200
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
Single Avalanche Current
Single Avalanche Energy
T A = 25 °C
T A = 70 °C
L = 0.1 mH
I D
I DM
I AS
E AS
1.50
1.20
5
1.5
0.11
1.15
0.92
A
mJ
Continuous Source Current (Diode
Maximum Power Dissipation a
Conduction) a
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I S
P D
2.1
2.5
1.6
1.1
1.3
0.85
A
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
40
70
20
50
85
24
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 72093
S09-0705-Rev. C, 27-Apr-09
www.vishay.com
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