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参数资料
| 型号： | SI4472DY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | WFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1735pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 5.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI4472DY-T1-GE3DKR |
Si4472DY
Vishay Siliconix
N-Channel 150 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
I D (A)
V DS (V)
150
R DS(on) ( Ω )
0.045 at V GS = 10 V
0.047 at V GS = 8 V
7.7
7.5
a
Q g (Typ.)
23 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? Extremely Low Q gd for Switching Losses
? 100 % R g Tested
? 100 % Avalanche Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Primary Side Switch
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
G
D
Top V ie w
Orderin g Information: Si4472DY-T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si4472DY-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
S
N -Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
150
± 20
7.7
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
I D
6.1
5.5 b, c
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Single Pulse Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
4.5 b, c
50
4.5
2.6 b, c
20
20
A
mJ
T C = 25 °C
5.9
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
3.8
3.1 b, c
W
T A = 70 °C
2 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b, f
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
R thJA
R thJF
33
17
40
21
°C/W
Notes:
a. Based on T C = 25 °C.
b. Surface mounted on 1” x 1” FR4 board.
c. t = 10 s.
d. Maximum under steady state conditions is 80 °C/W.
Document Number: 74283
S11-0209-Rev. C, 14-Feb-11
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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