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参数资料
| 型号： | SI4472DY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | WFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1735pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 5.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI4472DY-T1-GE3DKR |
Si4472DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
60
V GS = 10 V thr u 7 V
1.2
4 8
36
V GS = 6 V
0.9
T C = 125 °C
0.6
24
T C = 25 °C
0.3
12
0
V GS = 5 V
0.0
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
0.055
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.051
0.047
0.043
0.039
0.035
V GS = 8 V
V GS = 10 V
1600
1200
8 00
400
0
C rss
C oss
C iss
0
10
20
30
40
50
60
0
20
40
60
8 0
100
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
2.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 5 A
V DS = 50 V
2.1
I D = 5 A
V GS = 10 V
V DS = 75 V
6
4
2
0
V DS = 100 V
1.7
1.3
0.9
0.5
V GS = 8 V
0
6
12
1 8
24
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 74283
S11-0209-Rev. C, 14-Feb-11
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SI4473BDY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 14-V (D-S) MOSFET |
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| SI4473DY | 功能描述:MOSFET 14V 13A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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