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参数资料
| 型号： | SI4470EY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.85W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI4470EY-T1-GE3DKR |
Si4470EY
Vishay Siliconix
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
60
R DS(on) ( ? )
0.011 at V GS = 10 V
0.013 at V GS = 6.0 V
I D (A)
12.7
11.7
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFETs
? 175 °C Maximum Junction Temperature
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Primary Side Switch
D
SO-8
S
1
8
D
S
S
G
2
3
4
7
6
5
D
D
D
G
Top View
Ordering Information: Si4470EY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4470EY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
S
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
Steady State
60
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
T A = 25 °C
T A = 70 °C
L = 0.1 mH
I D
I DM
I AS
I S
12.7
10.6
3.1
50
50
9.0
7.5
1.5
A
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
3.75
2.6
- 55 to 175
1.85
1.3
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ? 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
33
65
17
40
80
21
°C/W
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 71606
S10-2137-Rev. D, 20-Sep-10
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI4472DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 150V 7.7A 5.9W 45mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| SI4473BDY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 14-V (D-S) MOSFET |
| SI4473BDY-E3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 14-V (D-S) MOSFET |
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