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参数资料
| 型号： | SI4465ADY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V 13.7A 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 14A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 85nc @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI4465ADY-T1-GE3DKR |
Si4465ADY
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
-8
R DS(on) ( Ω )
0.009 at V GS = - 4.5 V
0.011 at V GS = - 2.5 V
0.016 at V GS = - 1.8 V
I D (A) b
- 13.7
- 12.4
- 10
Q g (Typ.)
55 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 1.8 V Rated
? 100 % R g Tested
S
SO- 8
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
G
Top V ie w
D
Orderin g Information: Si4465ADY-T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si4465ADY-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T A = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
-8
±8
- 13.7
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150
°C) a, b
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T C = 70 °C
I D
- 11
- 20
- 16
A
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction) a, b
T A = 25 °C
I DM
I S
I SM
- 40
- 2.5
40
3.0
Maximum Power Dissipation
a, b
T A = 70 °C
T C = 25 °C
P D
1.95
6.5
W
T C = 70 °C
4.2
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET) a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
34
67
15
41
80
19
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. t ≤ 10 s.
Document Number: 73856
S09-0393-Rev. B, 09-Mar-09
www.vishay.com
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参数描述 |
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| SI4465DY-E3 | 功能描述:MOSFET 8V 14A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| SI4465DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 8V 4.5A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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