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参数资料
| 型号： | SI4435DYTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2320pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PD- 93768A
Si4435DY
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
l
l
Ultra Low On-Resistance
P-Channel MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
A
D
D
D
D
V DSS = -30V
R DS(on) = 0.020 ?
Description
These P-channel HEXFET ? Power MOSFETs from
International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve the extremely low on-resistance per
silicon area. This benefit provides the designer with an
extremely efficient device for use in battery and load
management applications..
The SO-8 has been modified through a customized
leadframe for enhanced thermal characteristics and
multiple-die capability making it ideal in a variety of power
applications. With these improvements, multiple devices
can be used in an application with dramatically reduced
board space. The package is designed for vapor phase,
infrared, or wave soldering techniques.
Absolute Maximum Ratings
T o p V ie w
SO-8
Parameter
Max.
Units
V DS
I D @ T A = 25°C
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T A = 70°C
V GS
T J, T STG
Drain- Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ -10V
Continuous Drain Current, V GS @ -10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
-30
-8.0
-6.4
-50
2.5
1.6
0.02
± 20
-55 to + 150
V
A
W
W/°C
V
°C
Thermal Resistance
Parameter
Max.
Units
R θ JA
www.irf.com
Maximum Junction-to-Ambient ?
50
°C/W
1
10/14/99
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECH-U1H151JB5 | CAP FILM 150PF 50VDC 0805 |
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| ECH-U1H561JB5 | CAP FILM 560PF 50VDC 0805 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SI4436DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 8.0A 5.0W 36mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4438-C2A-GM | 功能描述:IC RF TxRx + MCU General ISM < 1GHz 425MHz ~ 525MHz 20-VFQFN Exposed Pad 制造商:silicon labs 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 类型:TxRx + MCU 射频系列/标准:通用 ISM < 1GHz 协议:- 调制:FSK，GFSK，GMSK，OOK 频率:425MHz ~ 525MHz 数据速率（最大值）:500kbps 功率 - 输出:20dBm（最小值） 灵敏度:-124dBm 存储容量:- 串行接口:SPI GPIO:4 电压 - 电源:1.8 V ~ 3.6 V 电流 - 接收:13.7mA 电流 - 传输:75mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-VFQFN 裸露焊盘 标准包装:490 |
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