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参数资料
| 型号： | SI4435DYTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2320pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4435DY
1000
TOP
VGS
-15V
-10V
-7.0V
1000
TOP
VGS
-15V
-10V
-7.0V
-5.5V
-4.5V
-5.5V
-4.5V
100
-4.0V
-3.5V
100
-4.0V
-3.5V
10
BOTTOM -2.7V
10
BOTTOM -2.7V
-2.70V
1
-2.70V
1
0.1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10 100
0.1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 150 ° C
10 100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
T J = 25 ° C
2.0
I D = -8.0A
10
T J = 150 ° C
1.5
1.0
0.5
1
V DS = -15V
20μs PULSE WIDTH
0.0
V GS = -10V
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SI4436DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 8.0A 5.0W 36mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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