- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录368616 > SI4451DY (Vishay Intertechnology,Inc.) P-Channel 12-V (D-S) MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SI4451DY |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| 中文描述： | P沟道12 V的（副）MOSFET的 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | SI4451DY |
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
APPLICATION
Load Switch
Battery Switch
Si4451DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72115
S-03160—Rev. A, 17-Feb-03
www.vishay.com
1
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.00825 @ V
GS
= -4.5 V
-14
-12
0.01025 @ V
GS
= -2.5 V
-13
0.013 @ V
GS
= -1.8 V
-12
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
S
G
D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-12
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
-14
-10
T
A
= 70 C
-11
-8
A
Pulsed Drain Current
I
DM
-40
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
-2.7
-1.35
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
3.0
1.5
W
T
A
= 70 C
1.9
0.95
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
33
42
Steady State
70
85
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
17
21
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4462DY | N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
| SI4470EY | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
| SI4470EY-T1 | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
| SI4480EY | N-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
| SI4480EY-T1 | N-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4451DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 14A 3.0W 8.25mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4451DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 14A 3.0W 8.25mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4453DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI4453DYT1 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: |
| SI4453DY-T1 | 功能描述:MOSFET 12V 14A 3.0W 6.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。