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参数资料
| 型号： | SI4542DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 6.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4542DY
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
N-Channel
P-Channel
V DS (V)
30
- 30
R DS(on) ( Ω )
0.025 at V GS = 10 V
0.035 at V GS = 4.5 V
0.032 at V GS = - 10 V
0.045 at V GS = - 4.5 V
I D (A)
6.9
5.8
- 6.1
- 5.1
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SO-8
D 1
S 2
S 1
1
8
D 1
G 1
S 2
G 2
2
3
4
7
6
5
D 1
D 2
D 2
G 1
G 2
Top View
Ordering Information: Si4542DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
S 1
D 2
Si4542DY -T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
N-Channel
30
± 20
P-Channel
- 30
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
6.9
5.5
40
- 6.1
- 4.9
- 40
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
1.7
- 1.7
Maximum Power Dissipation a
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
2.0
1.3
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient a
Symbol
R thJA
N- or P-Channel
62.5
Unit
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board, t ≤ 10 s.
Document Number: 70666
S09-0868-Rev. G, 18-May-09
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
|---|---|
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| 7V-10.000MAAV-T | CRYSTAL 10.000MHZ 8PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4542DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 6.9/6.1A 2.0W 25/32mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4544DY | 功能描述:MOSFET 30V 6.5/5.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4544DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 6.5/5.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4544DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 6.5/5.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4544DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 6.5/5.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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