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参数资料
| 型号： | SI4542DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 6.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4542DY
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless otherwise noted
40
32
V GS = 10 V thru 5 V
4V
40
30
24
20
16
8
10
T C = 125 °C
0
3V
0
25 °C
- 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
1
2
3
4
5
0.05
0.04
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
3000
2500
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.03
0.02
V GS = 4.5 V
2000
1500
C oss
1000
V GS = 10 V
0.01
0.00
500
0
C rss
0
10
20
30
40
0
5
10
15
20
25
30
10
8
6
4
2
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 15 V
I D = 6.9 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
I D = 6.9 A
0
6
12
18
24
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 70666
S09-0868-Rev. G, 18-May-09
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2015K1S1W01-A | SW TOGGLE SPDT THR CAP SILV SLD |
| M2021ES1W01 | SW TOGGLE DPST THR SILV SLD LUG |
| HC49US-4.9152MABJ | CRYSTAL 4.9152 MHZ 18PF HC49/US |
| B32676G4206K | CAP FILM 20UF 450VDC RADIAL |
| 7V-10.000MAAV-T | CRYSTAL 10.000MHZ 8PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4542DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 6.9/6.1A 2.0W 25/32mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4544DY | 功能描述:MOSFET 30V 6.5/5.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4544DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 6.5/5.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4544DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 6.5/5.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4544DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 6.5/5.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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