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参数资料
| 型号： | SI4638DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | SkyFET®, TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.7V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4190pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 5.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si4638DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
8 0
1.2
64
V GS = 10 V thr u 4 V
1.0
0. 8
4 8
0.6
32
0.4
T C = 25 °C
16
V GS = 3 V
0.2
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.00 8 0
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
5000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.0074
0.006 8
0.0062
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
4000
3000
2000
0.0056
0.0050
1000
0
C rss
C oss
0
14
2 8
42
56
70
0
5
10
15
20
25
30
10
8
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 10 A
V DS = 10 V
1.7
1.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 15 A
V GS = 10 V
6
V DS = 20 V
1.3
4
2
0
V DS = 15 V
1.1
0.9
0.7
V GS = 4.5 V
0
14
2 8
42
56
70
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68745
S09-0764-Rev. B, 04-May-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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