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参数资料
| 型号： | SI4638DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | SkyFET®, TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.7V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4190pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 5.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si4638DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.020
I D = 15 A
10
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.016
0.012
0.00 8
T J = 125 °C
0.01
0.001
0.004
0
T J = 25 °C
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10 -1
10 -2
10 -3
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
30 V
20 V
300
240
1 8 0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
10 -4
10 -5
10 -6
10 V
120
60
0
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - J u nction Temperat u re (°C)
Reverse Current (Schottky)
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
10
1 ms
10 ms
1
100 m s
1s
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area
www.vishay.com
4
Document Number: 68745
S09-0764-Rev. B, 04-May-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4646DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC |
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| SI4712DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4638DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 22.4A 5.9W 6.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4642DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SI4642DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 34A 7.8W 3.75mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4642DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 34A 7.8W 3.75mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4646DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 12A 6.25W 11.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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