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参数资料
| 型号： | SI4770MODULE-A-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 26/62页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL MODULE AM/FM CE SI4770 |
| 特色产品： | Si477x Pro-Audio, High-Performance AM/FM Receiver and HD Radio Tuner |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 接收器 |
| 频率： | 520kHz ~ 1.71MHz，64MHz ~ 108MHz |
| 适用于相关产品： | Si4770 |
| 已供物品： | 2 个板，软件 |
| 相关产品： | 336-2268-ND - IC RECEIVER AM/FM CE HP |
| 其它名称： | 336-2267 |
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Si477x-EVB
6. Hardware Description
The evaluation hardware consists of two components: a daughtercard and a baseboard.
Note: Refer to Rev. 0.1 of this document if the Si475x/6x Baseboard is supplied.
6.1. Feature Overview
Figure 31. “EVB Features Using Quark Baseboard” shows various connections, jumpers, adjustments, and
features for an EVB using a Quark baseboard.
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Figure 31. EVB Features Using Quark Baseboard
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Rev. 0.4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC25N5C32K7680 | OSCILLATOR 32.7680 KHZ 2.5V SMD |
| EM260-RCM-USART-R | EM260 RCM BOARD |
| 53020C | XFRMR CURR SENSE 10A 1:20 SMD |
| EM250-RCM-R | EM250 RCM BOARD |
| EK42552-02 | BOARD EVAL FOR 42552 REV 02 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4774DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| Si4774DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 16 Amps 5 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4776DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| Si4776DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 11.9 Amps 4.1 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| Si4777 | 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:HIGH-PERFORMANCE CONSUMER ELECTRONICS |
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