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参数资料
| 型号： | SI4770MODULE-A-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 3/62页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL MODULE AM/FM CE SI4770 |
| 特色产品： | Si477x Pro-Audio, High-Performance AM/FM Receiver and HD Radio Tuner |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 接收器 |
| 频率： | 520kHz ~ 1.71MHz，64MHz ~ 108MHz |
| 适用于相关产品： | Si4770 |
| 已供物品： | 2 个板，软件 |
| 相关产品： | 336-2268-ND - IC RECEIVER AM/FM CE HP |
| 其它名称： | 336-2267 |
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Si477x-EVB
2. Kit Contents
2.1. Si477x-EVB Evaluation Board
All material and information contained in the enclosure is confidential and covered under non-disclosure
agreement (NDA).
?? Quark
baseboard (1)
?? Si477x Rev 2.0 and later daughtercard (1)
?? USB cable (1)
?? BNC to RCA adapters (2)
?? RCA cable (1)
?? Loop antenna (1)
?? BNC to SMA adapter (1)
?? Headphones (1)
?? 9 V universal adapter (1)
?? Documentation and software CD including the following:
?? Si477x-EVB
User's Guide
?? Development
GUI Software and Example Code
?? Microsoft.net Framework for use with the Development GUI
?? AN645: Si477x Programming Guide
?? Si477x Release Notes
2.2. Si4770Module-A-EVB Module Kit
Separately from the Si477x-EVB kit, user's may also order an Si4770Module-A-EVB kit. All material and
information contained in the enclosure is confidential and covered under non-disclosure agreement (NDA).
?? 4-Layer
Si4770 Module Rev1.0
?? Si477x
Interposer Rev1.0 card
Rev. 0.4
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC25N5C32K7680 | OSCILLATOR 32.7680 KHZ 2.5V SMD |
| EM260-RCM-USART-R | EM260 RCM BOARD |
| 53020C | XFRMR CURR SENSE 10A 1:20 SMD |
| EM250-RCM-R | EM250 RCM BOARD |
| EK42552-02 | BOARD EVAL FOR 42552 REV 02 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4774DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| Si4774DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 16 Amps 5 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4776DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| Si4776DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 11.9 Amps 4.1 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| Si4777 | 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:HIGH-PERFORMANCE CONSUMER ELECTRONICS |
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