- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录510 > SI4804CDY-T1-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET 2N-CH 30V 8A SO8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI4804CDY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 8A SO8 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 865pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si4804CDY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
?
Halogen-free
V DS (V)
R DS(on) ( Ω )
I D (A) a
Q g (Typ.)
?
TrenchFET ? Power MOSFET
30
0.022 at V GS = 10 V
0.027 at V GS = 4.5 V
8
7.9
7
?
?
100 % R g Tested
100 % UIS Tested
RoHS
COMPLIANT
APPLICATIONS
? DC/DC
? Notebook System Power
SO- 8
D 1
D 2
S 1
G 1
1
2
8
7
D 1
D 1
S 2
G 2
3
4
6
5
D 2
D 2
G 1
G 2
Top V ie w
Orderin g Information: Si4 8 04CDY-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
S 1
N -Channel MOSFET
S 2
N -Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
30
± 20
8.0
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
7.1
7.1 b, c
5.5 b, c
Pulsed Drain Current (10 μs Pulse Width)
I DM
30
A
Source-Drain Current Diode Current
Pulsed Source-Drain Current
T C = 25 °C
T A = 25 °C
I S
I SM
2.4
1.8 b, c
30
Single Pulse Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
L = 0.1 mH
I AS
E AS
10
5
mJ
T C = 25 °C
3.1
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
2
2 b, c
W
T A = 70 °C
1.28 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient b, d t ≤ 10 s
Maximum Junction-to-Foot (Drain) Steady State
Symbol
R thJA
R thJF
Typical
49
32
Maximum
62.5
40
Unit
°C/W
Notes:
a. Based on T C = 25 °C.
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 10 s.
d. Maximum under Steady State conditions is 120 °C/W.
Document Number: 68924
S-82485-Rev. A, 13-Oct-08
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4808DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC |
| SI4812BDY-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| SI4814BDY-T1-GE3 | MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC |
| SI4816DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| SI4818DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4804CDY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 8.0A 3.1W 22mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4804DY | 功能描述:MOSFET 30V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4804DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4804DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4804DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。