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参数资料
| 型号： | SI4804CDY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 8A SO8 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 865pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si4804CDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
24
1 8
12
6
0
V GS = 10 thru 4 V
V GS = 3 V
5
4
3
2
1
0
T C = - 55 °C
T C = 125 °C
T C = 25 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.026
0.024
0.022
0.020
0.01 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1100
88 0
660
440
220
C iss
C oss
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.016
0
C rss
0
6
12
1 8
24
30
0
6
12
1 8
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 7.5 A
1. 8
I D = 7.5 A
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
1.6
1.4
V GS = 10 V
6
4
V DS = 10 V
V DS = 15 V
V DS = 20 V
1.2
1.0
V GS = 4.5 V
2
0. 8
0
0.6
0.0
3.2
6.4
9.6
12. 8
16.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 68924
S-82485-Rev. A, 13-Oct-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI4804DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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