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参数资料
| 型号： | SI4866BDY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.3 毫欧 @ 12A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5020pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 4.45W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4866BDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
40
1.5 V
2.0
1.6
30
20
1.2
0. 8
25 °C
T C = 125 °C
10
0
1 V
0.4
0.0
- 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.0065
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
7000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.0060
0.0055
V GS = 1. 8 V
5600
4200
C iss
V GS = 2.5 V
0.0050
2 8 00
0.0045
V GS = 4.5 V
1400
C oss
C rss
0.0040
0
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
12
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
4.5
I D = 10 A
1.5
I D = 12 A
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
3.6
V DS = 4 V
2.7
V DS = 6 V
1.3
1.1
V GS = 1. 8 V
V GS = 4.5 V
1. 8
V DS = 8 V
0.9
0.9
0.0
0.7
0
11
22
33
44
55
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 70341
S09-0540-Rev. B, 06-Apr-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI4866DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12 Volt 11 Amp 3.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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