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参数资料
| 型号： | SI4884BDY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1525pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 4.45W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4884BDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
10
T J = 150 °C
0.05
0.04
I D = 10 A
1
0.03
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
0.02
0.01
0.00
T J = 25 °C
T J = 125 °C
0.00
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.6
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.3
0.0
- 0.3
- 0.6
I D = 250 μ A
8 0
60
40
20
- 0.9
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited b y R DS(on) *
10
1 ms
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73454
S09-0228-Rev. C, 09-Feb-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4886DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC |
| SI4890BDY-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
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| SI4894BDY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4884DY | 功能描述:MOSFET SO8 NCH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4884DY | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| SI4884DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4884DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4884DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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