- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录511 > SI4884BDY-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI4884BDY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1525pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 4.45W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Information
Vishay Siliconix
S OIC (NARROW): 8-LEAD
JEDEC P a rt N u m b er: M S -012
8
1
7
2
6
3
5
4
E
H
S
D
A
0.25 mm (G a ge Pl a ne)
h x 45
C
All Le a d s
e
B
A 1
L
q
0.101 mm
0.004"
MILLIMETERS
INCHES
DIM
A
A 1
B
C
D
E
e
H
h
L
q
S
Min
1.35
0.10
0.35
0.19
4.80
3.80
5.80
0.25
0.50
0°
0.44
1.27 BSC
Max
1.75
0.20
0.51
0.25
5.00
4.00
6.20
0.50
0.93
8°
0.64
Min
0.053
0.004
0.014
0.0075
0.189
0.150
0.228
0.010
0.020
0°
0.018
0.050 BSC
Max
0.069
0.008
0.020
0.010
0.196
0.157
0.244
0.020
0.037
8°
0.026
ECN: C-06527-Rev. I, 11-Sep-06
DWG: 5498
Document Number: 71192
11-Sep-06
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4886DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC |
| SI4890BDY-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
| SI4890DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| SI4894BDY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC |
| SI4904DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4884DY | 功能描述:MOSFET SO8 NCH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4884DY | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| SI4884DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4884DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4884DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。