型号: | SI4936CDY-T1-E3 |
厂商: | Vishay Siliconix |
文件页数: | 1/10页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A SO8 |
标准包装: | 2,500 |
系列: | TrenchFET® |
FET 型: | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 5.8A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 40 毫欧 @ 5A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 9nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 325pF @ 15V |
功率 - 最大: | 2.3W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装: | 8-SOICN |
包装: | 带卷 (TR) |