- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录511 > SI4936CDY-T1-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET 2N-CH 30V 5.8A SO8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI4936CDY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A SO8 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 325pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si4936CDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
5
V GS = 10 V thr u 4 V
4
15
3
10
2
5
V GS = 3 V
1
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
V GS = 1 V, 2 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
0.06
0.05
0.04
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
400
300
200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.03
0.02
100
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
25
30
10
8
6
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 5 A
1.7
1.5
1.3
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 10 V ; I D = 5 A
4
2
0
V DS = 15 V
V DS = 24 V
1.1
0.9
0.7
V GS = 4.5 V ;
I D = 4.7 A
0
1
2
3
4
5
6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69097
S09-0390-Rev. C, 09-Mar-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4940DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH DUAL 40V 8-SOIC |
| SI4943BDY-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC |
| SI4943CDY-T1-E3 | MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC |
| SI4946BEY-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC |
| SI4966DY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4936CDY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 5.8A 2.3W 40mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4936DY | 功能描述:MOSFET Dual NCh 30V 400a MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4936DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 5.8A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4936DYT1 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: 制造商:Vishay Siliconix 功能描述: |
| SI4936DY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。