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参数资料
| 型号： | SI4936CDY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 325pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC（窄型） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI4936CDY-T1-GE3DKR |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SO-8
0.172
(4.369)
0.028
(0.711)
0.022
(0.559)
0.050
(1.270)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
22
Document Number: 72606
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 35841 | BLOW VAC 120V W/ADJUST AIR FLOW |
| ATS24BSM-1E | CRYSTAL 24.576 MHZ 20PF SMD |
| ATS143SM-1E | CRYSTAL 14.31818 MHZ SERIES SMD |
| FXO-HC730R-2.034 | OSC 2.034 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| ATS640BSM-1E | CRYSTAL 64.0 MHZ 18PF 3OT SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4936DY | 功能描述:MOSFET Dual NCh 30V 400a MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4936DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 5.8A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4936DYT1 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: 制造商:Vishay Siliconix 功能描述: |
| SI4936DY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R |
| SI4936DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30 Volt 5.8 Amp 2.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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