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参数资料
| 型号： | SI4940DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 40V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 5.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4940DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless otherwise noted
0.10
0.08
V GS = 4.5 V
600
500
C iss
400
0.06
300
0.04
V GS = 10 V
200
0.02
0.00
100
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
30
0
8
16
24
32
40
10
8
6
4
2
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 20 V
I D = 5.7 A
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
I D = 5.7 A
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.10
0.08
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 3 A
I D = 5.7 A
0.06
0.04
T J = 25 °C
0.02
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71649
S09-0704-Rev. D, 27-Apr-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32676E1475K | CAP FILM 4.7UF 750VDC RADIAL |
| 5707.0201.313 | MOD POWER ENTRY W/FILTER 2A |
| FXO-LC738-24.576 | OSC 24.576 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| 5707.0201.312 | MOD POWER ENTRY W/FILTER 2A |
| B32933A3564M | FILM CAP 0.56UF 20% 305V MKT X2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4940DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 5.7A 2.1W 36mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4941EDY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 30V(D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4942DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SI4942DY-T1 | 功能描述:MOSFET 40V 7.4A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4942DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 7.4A 2.1W 21mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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