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参数资料
| 型号： | SI5413-H(B) |
| 厂商： | AUK Corp |
| 英文描述： | IRED |
| 中文描述： | 登记合格决定 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 186K |
| 代理商： | SI5413-H(B) |
KSD-O2Q004-000
1
SI5413-H / SI5413-H(B)
IRED
2
1
0.60 Max.
5.60~6.00
2
1
1.00 Min.
1.20 Min.
4.80~5.20
8.70~9.10
1.40 Max.
1.00 Min.
2.20~3.20
0.05 Typ.
23.00 Min.
2.54 Typ.
0
4.80~5.20
8.70~9.10
1.40 Max.
23.00 Min.
2.54 Typ.
0.60 Max.
0
5.60~6.00
0
0.05 Typ.
i
Features
Purple Colored transparency lens type
φ
5mm(T-1
3/4
) all plastic mold type
Low power consumption
High radiant intensity
Applications
Infrared remote control and free air transmission systems with low forward voltage and
comfortable radiation angle requirements in combination with PIN photodiodes or phototransistors.
Outline Dimensions unit :
mm
PI N Connections
1. Cathoe
2. Anode
STRAIGHT TYPE STOPPER TYPE : (B)
S
S
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m
m
i
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c
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI5414-H | IRED |
| SI5414-H(B) | IRED |
| SI5415-H | IRED |
| SI5415-H(B) | IRED |
| SI9925 | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI5414DC-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 6.0A 6.3W 17mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5414-H | 制造商:AUK 制造商全称:AUK corp 功能描述:IRED |
| SI5414-H(B) | 制造商:AUK 制造商全称:AUK corp 功能描述:IRED |
| SI5414-HB | 制造商:AUK 制造商全称:AUK corp 功能描述:IRED |
| SI54-150 | 制造商:DELTA 制造商全称:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor |
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