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参数资料
| 型号： | SI5432DC-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8 |
| 产品目录绘图： | DC-T1-E3 Series 1206-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 8.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 6.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1660 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI5432DC-T1-GE3DKR |
New Product
Si5432DC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.050
0.040
I D = 8 .3 A
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.030
0.020
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.010
1
0.000
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
1.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1.2
1.0
0. 8
0.6
0.4
I D = 250 μ A
40
30
20
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited by R DS(on) *
100 μ s
1 ms
Time (s)
Single Pulse Power
1
10 ms
100 ms
0.1
T A = 25 °C
B V DSS
Limited
1s
10 s
DC
Single P u lse
0.01
www.vishay.com
4
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 68925
S-82293-Rev. A, 22-Sep-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| SI5440DC-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SI5433BDC | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI5433BDC-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 6.7A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5433BDC-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 6.7A 2.5W 37mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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