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参数资料
| 型号： | SI5440DC-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19 毫欧 @ 9.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 6.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI5440DC-T1-GE3DKR |
New Product
Si5440DC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
10
25
V GS = 10 thru 4 V
8
T C = - 55 °C
20
6
15
10
V GS = 3 V
4
T C = 25 °C
5
0
V GS = 2 V
2
0
T C = 125 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.024
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.022
0.020
0.01 8
0.016
0.014
0.012
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1200
900
600
300
0
C rss
C iss
C oss
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
10
8
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 9.1 A
1.6
1.4
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 9.1 A
6
V DS = 15 V
1.2
V GS = 10 V, 4.5 V
V DS = 24 V
4
2
0
1.0
0. 8
0.6
0
4
8
12
16
20
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69056
S-83037-Rev. A, 22-Dec-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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