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参数资料
| 型号： | SI5468DC-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 6.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 435pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 5.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | SI5468DC-T1-GE3CT |
Package Information
Vishay Siliconix
1206-8 ChipFET R
4
D
L
8
7
6
5
4
E 1
E
5
4
6
3
7
2
8
1
1
2
3
4
S
e
b
c
x
Backside View
2X 0.10/0.13 R
A
DETAIL X
NOTES:
1.
2.
3.
4.
5.
All dimensions are in millimeaters.
Mold gate burrs shall not exceed 0.13 mm per side.
Leadframe to molded body offset is horizontal and vertical shall not exceed
0.08 mm.
Dimensions exclusive of mold gate burrs.
No mold flash allowed on the top and bottom lead surface.
MILLIMETERS
INCHES
Dim
A
b
c
c1
D
E
E 1
e
L
Min
1.00
0.25
0.1
0
2.95
1.825
1.55
0.28
Nom
?
0.30
0.15
?
3.05
1.90
1.65
0.65 BSC
?
Max
1.10
0.35
0.20
0.038
3.10
1.975
1.70
0.42
Min
0.039
0.010
0.004
0
0.116
0.072
0.061
0.011
Nom
?
0.012
0.006
?
0.120
0.075
0.065
0 .0256 BS C
?
Max
0.043
0.014
0.008
0.0015
0.122
0.078
0.067
0.017
S
0.55 BSC
5 _ Nom
0.022 BSC
5 _ Nom
ECN: C-03528—Rev. F, 19-Jan-04
DWG: 5547
Document Number: 71151
15-Jan-04
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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