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参数资料
| 型号： | SI5853CDC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | LITTLE FOOT® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 104 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si5853CDC
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
0.30
0.25
0.20
I D = 2.5 A
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.15
125 °C
0.10
25 °C
1
0.05
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
0. 8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
V SD - S o u r c e - t o - D r a i n V o l t a g e ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
50
40
30
20
10
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
1
0.1
Limited b y R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μ s
1 ms
10 ms
100 ms
1 s, 10 s
DC
T A = 25 °C
0.01
Single P u lse
B V DSS
Limited
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 69774
S10-0547-Rev. B, 08-Mar-10
www.vishay.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI5853DDC-T1-E3 | MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI5853DC | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode |
| SI5853DC-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 3.6A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5853DC-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 3.6A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5853DDC | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SI5853DDC-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.0A 3.1W 105mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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