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参数资料
| 型号： | SI5855CDC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 1206-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | LITTLE FOOT® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 144 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.8nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 276pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI5855CDC-T1-E3DKR |
Si5855CDC
Vishay Siliconix
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
MOSFET PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( Ω ) I D (A) a
Q g (Typ.)
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
0.144 at V GS = - 4.5 V
- 3.7
? LITTLE FOOT ? Plus Power MOSFET
- 20
0.180 at V GS = - 2.5 V
0.222 at V GS = - 1.8 V
- 3.3
- 3.0
4.1 nC
? Ultra Low V F Schottky
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY
? Charging Switch for Portable Devices
V KA (V)
20
V f (V)
Diode Forward Voltage
0.375 at 1 A
I F (A) a
1
- With Integrated Low V F Trench Schottky Diode
1206-8 ChipFET ?
A
1
S
K
K
K
A
S
G
D
D
G
Marking Code
JG XXX
Lot Traceability
and Date Code
Part #
D
A
Bottom View
Code
P-Channel MOSFET
Ordering Information: Si5855CDC-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si5855CDC-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise not ed
Parameter
Drain-Source Voltage (MOSFET)
Reverse Voltage (Schottky)
Gate-Source Voltage (MOSFET)
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V KA
V GS
Limit
- 20
20
±8
- 3.7 a
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) (MOSFET)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
- 3.0
- 2.5 b, c
- 2.0 b, c
Pulsed Drain Current (MOSFET)
I DM
- 10
A
- 2.3
Continuous Source Current (MOSFET Diode Conduction)
Average Forward Current (Schottky)
Pulsed Forward Current (Schottky)
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T C = 25 °C
I S
I F
I FM
a
- 1.1 b, c
1
7
2.8
Maximum Power Dissipation (MOSFET)
Maximum Power Dissipation (Schottky)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
1.8
1.3 b, c
0.8 b, c
3.1
2.0
1.9
1.2
W
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendation (Peak Temperature) d, e
Document Number: 68910
S10-0548-Rev. B, 08-Mar-10
T J , T stg
- 55 to 150
260
°C
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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