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参数资料
| 型号： | SI5855CDC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 1206-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | LITTLE FOOT® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 144 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.8nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 276pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI5855CDC-T1-E3DKR |
Si5855CDC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.30
0.25
V GS = - 1.8 V
540
450
0.20
0.15
V GS = - 2.5 V
360
270
C iss
0.10
V GS = - 4.5 V
1 8 0
0.05
0.00
90
0
C rss
C oss
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
5
I D - Drain C u rrent (A)
On Resistance vs. Drain Current
1.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 2.5 A
4
1.3
V DS = 10 V
3
1.1
V GS = 4.5 V; I D = 2.5 A
2
V DS = 16 V
0.9
1
V GS = 2.5 V; I D = 2.2 A
0
0.7
0
1
2
3
4
5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
100
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.25
0.20
0.15
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 2.5 A
T J = 125 °C
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.10
T J = 25 °C
0.05
0.1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
2
4
6
8
www.vishay.com
4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Forward Diode Voltage vs. Temp.
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Document Number: 68910
S10-0548-Rev. B, 08-Mar-10
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PDF描述 |
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