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参数资料
| 型号： | SI5903DC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8 |
| 产品目录绘图： | DC-T1-E3 Series 1206-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 155 毫欧 @ 2.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI5903DC-T1-E3DKR |
Si5903DC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.4
0.3
50
40
I D = 250 μA
0.2
30
0.1
20
0.0
- 0.1
- 0.2
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
T J - Temperature ( °C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 2
0.01
0.02
Single Pulse
t 1
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 90 ° C/W
3. T JM -- T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?71054 .
www.vishay.com
4
Document Number: 71054
S10-0547-Rev. C, 08-Mar-10
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参数描述 |
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