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参数资料
| 型号： | SI5903DC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8 |
| 产品目录绘图： | DC-T1-E3 Series 1206-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 155 毫欧 @ 2.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI5903DC-T1-E3DKR |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR 1206-8 ChipFET ?
0.093
(2.357)
0.026
(0.650)
0.016
(0.406)
0.010
(0.244)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
2
Document Number: 72593
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445I32B24M00000 | CRYSTAL 24.000000 MHZ 13PF SMD |
| 7201J11ZBE22 | SWITCH ROCKER DPDT 0.4VA 20V |
| TL36WS84000 | SWITCH TOGGLE SUB-MINI SEALED |
| MP020S-E | CRYSTAL 2.0 MHZ 20 PF FUND |
| JWM21BCA-H | SWITCH ROCKER DPST 10A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI5903DC-T1-E3/BKN | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL P-CH 2.5V (G-S) RATED MOSFET |
| SI5903DC-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| SI5903DC-T3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 2.1A 8PIN CHIPFET - Tape and Reel |
| SI5904DC | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
| SI5904DC_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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