参数资料
型号: SI5943DU-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 5/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET DUAL P-CH 12V 6A 8PWRPAK
标准包装: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: 2 个 P 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 64 毫欧 @ 3.6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 460pF @ 6V
功率 - 最大: 8.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? CHIPFET? 双
供应商设备封装: PowerPAK? ChipFet 双
包装: 带卷 (TR)
Si5943DU
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
12
10
8
Package Limited
10
8
6
6
4
4
2
0
2
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
T C - Case Temperat u re (°C)
Power Derating
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 73669
S-81449-Rev. B, 23-Jun-08
www.vishay.com
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