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参数资料
| 型号： | SI6413DQ-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 8.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800mV @ 400µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 105nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1.05W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si6413DQ
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 20
R DS(on) ( Ω )
0.010 at V GS = - 4.5 V
0.013 at V GS = - 2.5 V
0.016 at V GS = - 1.8 V
I D (A)
- 8.8
- 7.6
- 6.8
? Halogen-free
? TrenchFET ? Power MOSFET
APPLICATIONS
? Load Switch
RoHS
COMPLIANT
? PA Switch
? Charger Switch
S*
TSSOP-8
G
* Source Pins 2, 3, 6 and 7
D
1
8 D
must be tied common.
S
S
G
2
3
4
Si6413DQ
7 S
6 S
5 D
Top View
Ordering Information: Si6413DQ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
Steady State
- 20
±8
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current (10 μs Pulse Width)
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
- 8.8
- 7.0
- 30
- 7.2
- 5.7
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
- 1.35
- 0.95
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
1.5
1.0
- 55 to 150
1.05
0.67
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
60
100
35
83
120
45
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 72084
S-80682-Rev. B, 31-Mar-08
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI6413DQ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 8.8A 1.5W 10mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6415DQ | 功能描述:MOSFET 30V/25V PCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6415DQ-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 6.5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6415DQ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 6.5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6415DQ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 6.5A 1.5W 19mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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