- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录512 > SI6467BDQ-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI6467BDQ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 850mV @ 450µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.05W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI6467BDQ-T1-GE3DKR |
Si6467BDQ
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( Ω )
0.0125 at V GS = - 4.5 V
I D (A)
- 8.0
FEATURES
? Halogen-free
? TrenchFET ? Power MOSFETs
P b -free
A v aila b le
- 12
0.0155 at V GS = - 2.5 V
0.020 at V GS = - 1.8 V
- 7.0
- 6.0
RoHS*
COMPLIANT
S*
TSSOP-8
D
1
8 D
G
* Source Pins 2, 3, 6 and 7
S
S
G
2
3
4
Si6467BDQ
7 S
6 S
5 D
must be tied common.
Top View
D
Ordering Information: Si6467BDQ-T1
Si6467BDQ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
Steady State
- 12
±8
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current (10 μs Pulse Width)
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
- 8.0
- 6.5
- 30
- 6.8
- 5.4
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
- 1.35
- 0.95
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
1.5
1.0
- 55 to 150
1.05
0.67
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
65
100
43
83
120
52
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
Document Number: 72087
S-80682-Rev. D, 31-Mar-08
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI6924AEDQ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 28V ESD 8-TSSOP |
| SI6926ADQ-T1-GE3 | MOSFET DL N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP |
| SI6928DQ-T1-GE3 | MOSFET DL N-CH 30V 4A 8-TSSOP |
| SI6933DQ-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP |
| SI6955ADQ-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI6467DQ | 功能描述:MOSFET TSSOP8 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6467DQ-T1 | 功能描述:MOSFET 12V 8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6467DQ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6469DQ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI6469DQT1 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。