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参数资料
| 型号： | SI6928DQ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DL N-CH 30V 4A 8-TSSOP |
| 产品目录绘图： | DQ-T1-E3 Series 8-TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI6928DQ-T1-GE3DKR |
Si6928DQ
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
30
R DS(on) ( Ω )
0.035 at V GS = 10 V
0.050 at V GS = 4.5 V
I D (A)
± 4.0
± 3.4
? Halogen-free Option Available
P b -free
A v aila b le
RoHS*
COMPLIANT
TSSOP-8
D 1
D 2
D 1
S 1
1
2
Si6928DQ
8
7
D 2
S 2
G 1
G 2
S 1
G 1
3
4
6
5
S 2
G 2
Top View
Ordering Inf ormation: Si6928DQ-T1
S 1
S 2
Si6928DQ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
30
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
I S
P D
T J , T stg
± 4.0
± 3.2
± 20
1.25
1.0
0.64
- 55 to 150
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R thJA
125
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board, t ≤ 10 s.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
Document Number: 70663
S-81056-Rev. D, 12-May-08
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI692DQ | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| SI693 | 制造商:SEFRAM 功能描述:SOFT&USB & IR TRANS/RECEIVER |
| SI6933DQ | 功能描述:MOSFET 30V/25V PCh MOSFET Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6933DQ-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 3.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6933DQ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 3.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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