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参数资料
| 型号： | SI6955ADQ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 830mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si6955ADQ
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 30
R DS(on) ( Ω )
0.080 at V GS = - 10 V
0.135 at V GS = - 4.5 V
I D (A)
± 2.9
± 2.2
? Halogen-free
? TrenchFET ? Power MOSFETs
RoHS
COMPLIANT
S 1
S 2
TSSOP-8
G 1
G 2
D 1
1
8
D 2
S 1
S 1
G 1
2
3
4
Si6955ADQ
7
6
5
S 2
S 2
G 2
Top View
Ordering Information: Si6955ADQ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
D 1
P-Channel MOSFET
D 2
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
Steady State
- 30
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current (10 μs Pulse Width)
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
± 2.9
± 2.3
± 20
± 2.5
± 2.0
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
- 1.0
- 0.70
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
1.14
0.73
- 55 to 150
0.83
0.53
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
88
124
69
110
150
83
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 71103
S-81221-Rev. B, 02-Jun-08
www.vishay.com
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