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参数资料
| 型号： | SI6955ADQ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 830mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si6955ADQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.30
0.24
0.18
0.12
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1000
800
600
400
C iss
0.06
0
200
0
C rss
C oss
0
3
6
9
12
15
0
6
12
18
24
30
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 10 V
I D = 3.9 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 3.9 A
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
0.8
0.6
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.40
0.32
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
T J = 25 °C
0.24
0.16
0.08
I D = 3.9 A
1
0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71103
S-81221-Rev. B, 02-Jun-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI6955DQ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 2.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| SI6956DQ-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 2.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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