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参数资料
| 型号： | SI6928DQ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DL N-CH 30V 4A 8-TSSOP |
| 产品目录绘图： | DQ-T1-E3 Series 8-TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI6928DQ-T1-GE3DKR |
Si6928DQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
16
12
8
V GS = 10 thru 5 V
4V
20
16
12
8
T C = 125 °C
4
3V
4
25 °C
- 55 °C
0
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
0.06
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1500
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.05
0.04
0.03
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1200
900
C iss
600
0.02
C oss
0.01
0
300
0
C rss
0
4
8
12
16
20
0
6
12
18
24
30
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 15 V
I D = 4.0 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 4.0 A
1.4
6
4
1.2
1.0
0.8
2
0.6
0
0.4
0
4
8
12
16
20
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 70663
S-81056-Rev. D, 12-May-08
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SI6933DQ | 功能描述:MOSFET 30V/25V PCh MOSFET Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6933DQ-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 3.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6933DQ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 3.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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